裝備電源

應用描述

在射頻功率LDMOS技術中，更高的供電電壓使得解決方案制造商能夠通過較少的元件組合達到更高的功率水平，從而提高整個系統的效率、降低成本和減小尺寸。隨著工作電壓提高輸出功率更大，晶體管的阻抗變得更小，這對于器件的設計能力提出了更高的要求。華太目前掌握了從半導體工藝、芯片器件、封裝結構再到放大器模組的整體方案設計能力，為終端客戶提供快速、高性能、高可靠性的解決方案。

裝備電源

射頻系列產品

HTH8G02P550H(B)

ISM

1.8 MHz,200 MHz,50 V

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HTH9G24S025PG

ISM

400 MHz,2400 MHz,50 V

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HTH8G06P1K4H(B)

ISM

1.8 MHz,230 MHz,50 V

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HTH7G14S030H(B)

ISM

1.8 MHz,1400 MHz,50 V

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HTE9G04P2K0H(B)

ISM

1MHz,400MHz,65V

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HTH8G02P550S(B)-T

ISM

1.8MHz,200MHz,50V

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HTH8G02P1K4H(B)

ISM

1.8 MHz,200 MHz,50 V

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HTH8G07P400H(B)

ISM

1.8 MHz,700 MHz,50 V

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HTH7G14S150H(B)

ISM

1.8 MHz,1400 MHz,48 V

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應用描述

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